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IXTP450P2 IXTQ450P2
IXTH450P2
40
35
Fig. 7. Input Admittance
50
Fig. 8. Transconductance
T J = - 40oC
40
30
25
T J = 125oC
25oC
30
25oC
- 40oC
20
15
20
125oC
10
10
5
0
0
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
50
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of Intrinsic Diode
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
45
40
35
30
25
20
15
T J = 125oC
9
8
7
6
5
4
3
V DS = 250V
I D = 8A
I G = 10mA
10
5
0
T J = 25oC
2
1
0
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
10,000
1,000
100
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
Ciss
Coss
100
10
1
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Forward-Bias Safe Operating Area
R DS(on) Limit
25μs
100μs
10
f = 1 MHz
Crss
0.1
T J = 150oC
T C = 25oC
Single Pulse
1ms
0
5
10
15
20
25
30
35
40
10
100
1,000
V DS - Volts
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
V DS - Volts
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IXTH48N20T 功能描述:MOSFET 48 Amps 200V 50 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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